權(quán)利要求

1.提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，所述電子雷管爆破控制系統(tǒng)包括起爆器和若干個(gè)電子雷管模塊，各個(gè)電子雷管模塊以并聯(lián)方式與起爆器連接，其特征在于，每個(gè)電子雷管模塊上設(shè)有開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，當(dāng)電子雷管模塊接收到起爆器發(fā)出的起爆指令并開(kāi)始執(zhí)行起爆后，所述電子雷管模塊控制開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)處于閉合狀態(tài)，使得這時(shí)電子雷管模塊與起爆器及其它電子雷管模塊之間處于物理隔斷狀態(tài)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述起爆器連接有第一母線和第二母線，所述第一母線和第二母線的長(zhǎng)度大于500m，每個(gè)電子雷管模塊通過(guò)支線與第一母線和第二母線連接，所述支線的長(zhǎng)度為3m～25m。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)包括第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，所述第一開(kāi)關(guān)的兩端分別接地和第一母線，所述第二開(kāi)關(guān)的兩端分別接地和第二母線，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài)時(shí)，第一母線和第二母線短接到地。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述電子雷管模塊包括芯片、儲(chǔ)能電容、起爆管和橋絲電阻，所述芯片包括電源模塊、通信模塊、充放電模塊、控制模塊、功能檢測(cè)模塊和點(diǎn)火模塊，所述電源模塊和通信模塊分別與第一母線和第二母線連接，所述充放電模塊與電源模塊連接，所述控制模塊分別連接電源模塊、通信模塊、第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)、充放電模塊，所述功能檢測(cè)模塊與控制模塊連接，所述點(diǎn)火模塊分別連接控制模塊和起爆管，所述儲(chǔ)能電容分別連接充放電模塊和橋絲電阻，所述橋絲電阻連接起爆管。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片還包括NVM存儲(chǔ)模塊，所述NVM存儲(chǔ)模塊與控制模塊連接。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片還包括POR上電復(fù)位模塊，所述POR上電復(fù)位模塊與控制模塊連接。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述芯片還包括OSC時(shí)鐘模塊，所述OSC時(shí)鐘模塊與控制模塊連接。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述起爆器上設(shè)有身份驗(yàn)證模塊。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其特征在于，所述開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為NMOS開(kāi)關(guān)或PMOS開(kāi)關(guān)或CMOS開(kāi)關(guān)或帶限流和下拉電阻的NMOS開(kāi)關(guān)或帶限流和上拉電阻的PMOS開(kāi)關(guān)或NPN開(kāi)關(guān)或PNP開(kāi)關(guān)或NPN和PNP的復(fù)合開(kāi)關(guān)。

說(shuō)明書(shū)

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子雷管，具體涉及提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)。

背景技術(shù)

電子雷管，又稱(chēng)數(shù)碼電子雷管、數(shù)碼雷管或工業(yè)數(shù)碼電子雷管，一般采用電子雷管爆破控制系統(tǒng)控制電子雷管進(jìn)行爆破。

電子雷管爆破控制系統(tǒng)基本上由雷管和起爆器兩部分組成，多個(gè)電子雷管模塊以并聯(lián)方式與起爆器連接，起爆器可同時(shí)控制多個(gè)電子雷管工作。

電子雷管一般是通過(guò)收到起爆器的起爆信號(hào)后進(jìn)行爆破，電子雷管與起爆器之間的信號(hào)傳輸一般都是通過(guò)有線傳輸，但是當(dāng)在小斷面、金屬礦山、井下和隧道等復(fù)雜工作環(huán)境使用時(shí)，電子雷管與起爆器之間的信號(hào)傳輸經(jīng)常受到干擾，從而導(dǎo)致電子雷管出現(xiàn)拒爆的問(wèn)題，不利于電子雷管的安全性。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明為了解決上述問(wèn)題，從而提供提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)。

為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：

一種提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，所述電子雷管爆破控制系統(tǒng)包括起爆器和若干個(gè)電子雷管模塊，各個(gè)電子雷管模塊以并聯(lián)方式與起爆器連接，每個(gè)電子雷管模塊上設(shè)有開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，當(dāng)電子雷管模塊接收到起爆器發(fā)出的起爆指令并開(kāi)始執(zhí)行起爆后，所述電子雷管模塊控制開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)處于閉合狀態(tài)，使得這時(shí)電子雷管模塊與起爆器及其它電子雷管模塊之間處于物理隔斷狀態(tài)。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述起爆器連接有第一母線和第二母線，所述第一母線和第二母線的長(zhǎng)度大于500m，每個(gè)電子雷管模塊通過(guò)支線與第一母線和第二母線連接，所述支線的長(zhǎng)度為3m～25m。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)包括第一開(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)，所述第一開(kāi)關(guān)的兩端分別接地和第一母線，所述第二開(kāi)關(guān)的兩端分別接地和第二母線，當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)和第二開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài)時(shí)，第一母線和第二母線短接到地。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述電子雷管模塊包括芯片、濾波電容、儲(chǔ)能電容、起爆管和橋絲電阻，所述芯片包括電源模塊、通信模塊、充放電模塊、控制模塊、功能檢測(cè)模塊和點(diǎn)火模塊，所述電源模塊和通信模塊分別與第一母線和第二母線連接，所述充放電模塊與電源模塊連接，所述控制模塊分別連接電源模塊、通信模塊、第一開(kāi)關(guān)、第二開(kāi)關(guān)、充放電模塊，所述功能檢測(cè)模塊與控制模塊連接，所述點(diǎn)火模塊分別連接控制模塊和起爆管，所述濾波電容與電源模塊連接，所述儲(chǔ)能電容分別連接充放電模塊和橋絲電阻，所述橋絲電阻連接起爆管。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述芯片還包括NVM存儲(chǔ)模塊，所述NVM存儲(chǔ)模塊與控制模塊連接。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述芯片還包括POR上電復(fù)位模塊，所述POR上電復(fù)位模塊與控制模塊連接。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述芯片還包括OSC時(shí)鐘模塊，所述OSC時(shí)鐘模塊與控制模塊連接。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述起爆器上設(shè)有身份驗(yàn)證模塊。

在本發(fā)明的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為NMOS開(kāi)關(guān)或PMOS開(kāi)關(guān)或CMOS開(kāi)關(guān)或帶限流和下拉電阻的NMOS開(kāi)關(guān)或帶限流和上拉電阻的PMOS開(kāi)關(guān)或NPN開(kāi)關(guān)或PNP開(kāi)關(guān)或NPN和PNP的復(fù)合開(kāi)關(guān)。

本發(fā)明的有益效果是：

本發(fā)明解決了在小斷面、金屬礦山、井下和隧道等復(fù)雜場(chǎng)景使用時(shí)，在接收起爆指令并執(zhí)行起爆的過(guò)程中因電信號(hào)干擾導(dǎo)致的電子雷管拒爆的問(wèn)題，大大提高了電子雷管的抗干擾性能和安全性。

另外，本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，可在現(xiàn)有的爆破控制系統(tǒng)上直接設(shè)置，不需要將爆破控制系統(tǒng)重新設(shè)計(jì)，節(jié)約了成本。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為起爆器與電子雷管模塊的連接示意圖；

圖2為電子雷管模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為NMOS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為PMOS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為CMOS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為帶限流和下拉電阻的NMOS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為帶限流和上拉電阻的PMOS開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為NPN開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9為PNP開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖

圖10為NPN和PNP的復(fù)合開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本發(fā)明實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面進(jìn)一步闡述本發(fā)明。

參見(jiàn)圖1，本發(fā)明提供的提高抗干擾性能的電子雷管爆破控制系統(tǒng)，其包括起爆器100和若干個(gè)電子雷管模塊200，各個(gè)電子雷管模塊200以并聯(lián)方式與起爆器100連接，起爆器100可同時(shí)控制各個(gè)電子雷管模塊200工作。

起爆器100與各個(gè)電子雷管模塊200連接方式具體可為：起爆器100連接有第一母線A和第二母線B，每個(gè)電子雷管200模塊通過(guò)支線與第一母線A和第二母線B連接。

電子雷管模塊200的個(gè)數(shù)具體可大于500，為了保證現(xiàn)場(chǎng)爆破操作人員安全，第一母線A和第二母線B的長(zhǎng)度大于500m，同時(shí)各電子雷管模塊200通過(guò)支線接入第一母線A和第二母線B的長(zhǎng)度，也會(huì)根據(jù)現(xiàn)場(chǎng)情況不同，具體可為3m～25m。

參見(jiàn)圖2，在每個(gè)電子雷管模塊200上設(shè)有開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)，當(dāng)電子雷管模塊接收到起爆器100發(fā)出的起爆指令后，電子雷管模塊200控制開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)處于閉合狀態(tài)，使得這時(shí)電子雷管模塊200與起爆器100及其它電子雷管模塊之間處于物理隔斷狀態(tài)，以隔絕執(zhí)行起爆過(guò)程中可能產(chǎn)生的干擾信號(hào)。

開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)具體串接在第一母線A和第二母線B與地之間，開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)包括第一開(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2，第一開(kāi)關(guān)S1的兩端分別接地和第一母線A，第二開(kāi)關(guān)S2的兩端分別接地和第二母線B，這樣當(dāng)?shù)谝婚_(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2處于閉合狀態(tài)時(shí)，第一母線A和第二母線B剛好短接到地，這時(shí)電子雷管模塊200與起爆器100及其它電子雷管模塊300之間剛好處于物理隔斷狀態(tài)。

電子雷管模塊200具體包括芯片210、濾波電容C2、儲(chǔ)能電容C1、起爆管Q1和橋絲電阻YT，芯片210包括電源模塊220、通信模塊230、充放電模塊240、控制模塊250、功能檢測(cè)模塊260和點(diǎn)火模塊270。

電源模塊220和通信模塊230分別連接第一母線A和第二母線B，兩者分別通過(guò)第一母線A和第二母線B接收起爆器100提供的電源和控制信號(hào)。

充放電模塊240與電源模塊220連接，控制模塊250分別連接電源模塊220、通信模塊230、第一開(kāi)關(guān)S1、第二開(kāi)關(guān)S2和充放電模塊240，功能檢測(cè)模塊260與控制模塊250連接，點(diǎn)火模塊270分別連接控制模塊250和起爆管Q1，濾波電容C2與電源模塊220連接，儲(chǔ)能電容C1分別連接充放電模塊240和橋絲電阻YT，橋絲電阻YT連接起爆管Q1。

通信模塊230用于實(shí)現(xiàn)控制模塊250與起爆器100之間的信息傳輸，控制模塊250通過(guò)通信模塊230將控制信息發(fā)送給控制模塊250，控制模塊250根據(jù)接受到的信息進(jìn)行對(duì)應(yīng)的操作，控制模塊250也可將檢測(cè)到的信息通過(guò)通信模塊230發(fā)送給起爆器100。

控制模塊250通過(guò)充放電模塊240可控制儲(chǔ)能電容C1充電或放電和控制電源模塊220為各個(gè)用電模塊供電。

控制模塊250通過(guò)點(diǎn)火模塊270可打開(kāi)起爆管Q1，儲(chǔ)能電容C1儲(chǔ)存的能量通過(guò)橋絲電阻YT到地，完成爆破。

功能檢測(cè)模塊260用于實(shí)時(shí)檢測(cè)電子雷管模塊200內(nèi)各個(gè)模塊的狀態(tài)，并將檢測(cè)信息發(fā)送給控制模塊250，控制模塊250再將信息反饋給起爆器100，這樣可保證起爆器100在發(fā)出起爆指令前，電子雷管模塊200處于正常狀態(tài)。

第一開(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2斷開(kāi)或閉合的切換直接由控制模塊250控制，本系統(tǒng)中，只有當(dāng)控制模塊250接收到起爆器100起爆指令，并且功能檢測(cè)模塊260檢測(cè)電子雷管模塊200內(nèi)各個(gè)模塊的狀態(tài)正常后，控制模塊250才會(huì)開(kāi)始執(zhí)行起爆，并控制第一開(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2閉合，其余情況下則控制第一開(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2均處于斷開(kāi)狀態(tài)。這樣既保證了電子雷管模塊200在執(zhí)行起爆時(shí)不會(huì)受到干擾，又使得電子雷管模塊200與起爆器100能在起爆前進(jìn)行正常的信息及電源傳輸。

第一開(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2可以有多種不同的具體實(shí)現(xiàn)方式，這些實(shí)現(xiàn)方式包括：NMOS開(kāi)關(guān)、PMOS開(kāi)關(guān)、CMOS開(kāi)關(guān)、帶限流和下拉電阻的NMOS開(kāi)關(guān)、帶限流和上拉電阻的PMOS開(kāi)關(guān)、NPN開(kāi)關(guān)、PNP開(kāi)關(guān)、NPN和PNP的復(fù)合開(kāi)關(guān)。

參見(jiàn)圖3-圖10，下面是開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)的各種具體實(shí)現(xiàn)方式

(1)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為NMOS開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENN為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，ENN為低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

(2)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為PMOS開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENP為低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，ENP為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

(3)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為CMOS開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENN為高電平，ENP為低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；控制信號(hào)ENN為低電平，ENP為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

(4)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為帶限流和下拉電阻的NMOS開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENN為高電平時(shí)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；其它狀態(tài)，下拉電阻R9接地，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

(5)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為帶限流和上拉電阻的PMOS開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENP為低電平時(shí)，開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；其它狀態(tài)，上拉電阻R11接電源，開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

(6)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為NPN開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENN為高電平時(shí)，NPN三極管QN導(dǎo)通，輸出Vout短接到地，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；當(dāng)ENN為其它狀態(tài)時(shí)，下拉電阻R2接地，NPN三極管QN斷開(kāi)，Vin＝Vout，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；

(7)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為PNP開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENP為低電平時(shí)，PNP三極管QP導(dǎo)通，Vin＝Vout,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)導(dǎo)通；當(dāng)ENP為其它狀態(tài)時(shí)，上拉電阻R5接至Vin，PNP三極管QP斷開(kāi)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)；

(8)當(dāng)開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)為NPN和PNP的復(fù)合開(kāi)關(guān)時(shí)，控制模塊250發(fā)出的控制信號(hào)ENN為高電平時(shí)，NPN三極管QN導(dǎo)通，PNP三極管QP的基級(jí)接地，QP導(dǎo)通，Vin＝Vout,相當(dāng)于開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，當(dāng)ENN為其它狀態(tài)時(shí)，下拉電阻R2接地，上拉電阻R7接Vin,三極管QN和QP都斷開(kāi)，相當(dāng)于開(kāi)關(guān)斷開(kāi)。

對(duì)于開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)的具體選擇可根據(jù)實(shí)際需求而定，并且上述開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方式也并不只局限于上述8種方式，只需能夠?qū)崿F(xiàn)當(dāng)電子雷管模塊接收到起爆器100發(fā)出的起爆指令后，電子雷管模塊200可控制開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)處于閉合狀態(tài)的開(kāi)關(guān)結(jié)構(gòu)的實(shí)現(xiàn)方式都可采用。

參見(jiàn)圖2，另外，芯片210還包括OSC時(shí)鐘模塊、POR上電復(fù)位模塊和NVM存儲(chǔ)模塊。

OSC時(shí)鐘模塊與控制模塊250連接，用于提供時(shí)鐘，POR上電復(fù)位模塊與控制模塊250連接，用于提供上電復(fù)位信號(hào)，NVM存儲(chǔ)模塊與控制模塊250連接，用于存儲(chǔ)芯片210所需要的關(guān)鍵信息和狀態(tài)，控制模塊250可讀取NVM存儲(chǔ)模塊內(nèi)存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)，并將讀取的數(shù)據(jù)反饋給起爆器100。

下面是本申請(qǐng)的具體工作過(guò)程：

起爆器100會(huì)先發(fā)送掃描廣播指令給各個(gè)與之連接的電子雷管模塊200，各個(gè)電子雷管模塊200收到掃描指令后，每個(gè)電子雷管模塊200的芯片210中的通信模塊230將處理后的數(shù)據(jù)發(fā)給控制模塊250，控制模塊250讀取NVM模塊的數(shù)據(jù)后，將數(shù)據(jù)傳給通信模塊230，通信模塊230再以電流反饋的形式，通過(guò)第一母線A和第二母線B將數(shù)據(jù)返回到起爆器100，以確認(rèn)電子雷管模塊200的關(guān)鍵信息；

起爆器100確認(rèn)電子雷管模塊200的關(guān)鍵信息后，發(fā)送一系列指令，進(jìn)行電子雷管模塊的驗(yàn)證，并確認(rèn)各個(gè)電子雷管模塊200的關(guān)鍵狀態(tài)。

電子雷管模塊200的關(guān)鍵狀態(tài)確認(rèn)后，起爆器100會(huì)發(fā)送充電指令，芯片210中的控制模塊250收到充電指令后，控制充放電模塊240，對(duì)儲(chǔ)能電容C1進(jìn)行充電，當(dāng)儲(chǔ)能電容C1的電壓達(dá)到預(yù)期的電壓值時(shí)，充放電模塊240發(fā)出充電完畢的信號(hào)給控制模塊250并停止充電；

當(dāng)起爆器100收到所有電子雷管模塊200都充電完畢的信號(hào)后，起爆器100發(fā)出起爆指令，各個(gè)電子雷管模塊200的芯片210內(nèi)的控制模塊250通過(guò)通信模塊230收到起爆指令后，將EN信號(hào)電平翻轉(zhuǎn)，使第一開(kāi)關(guān)S1和第二開(kāi)關(guān)S2閉合，這時(shí)第一母線A和第二母線B會(huì)短接到地，不會(huì)有干擾信號(hào)進(jìn)入各個(gè)電子雷管模塊200，影響起爆指令的后續(xù)執(zhí)行。此時(shí)，儲(chǔ)能電容C1，濾波電容C2給電子雷管模塊200供電，控制模塊250完成設(shè)置的延期等操作后，控制點(diǎn)火模塊270打開(kāi)起爆管Q1，儲(chǔ)能電容C1儲(chǔ)存的能量通過(guò)橋絲電阻YT釋放到地，引起橋絲電阻YT發(fā)熱并引燃橋絲電阻上的起爆藥頭，完成爆破。

另外，在起爆器100上設(shè)有身份驗(yàn)證模塊，現(xiàn)場(chǎng)操作人員在操作起爆器100前，需要通過(guò)身份驗(yàn)證模塊核實(shí)身份和對(duì)網(wǎng)絡(luò)中的電子雷管模塊進(jìn)行“點(diǎn)名”，等認(rèn)證通過(guò)后，方可執(zhí)行起爆流程，從而提高安全性。

以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中的描述只是說(shuō)明本發(fā)明的原理，在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下，本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本發(fā)明范圍內(nèi)。本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。