本發(fā)明公開(kāi)了一種微型面發(fā)射光電芯片陣列光電性能巨量檢測(cè)系統(tǒng)及其方法，該系統(tǒng)包括轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置、轉(zhuǎn)移頭、襯底放置臺(tái)、檢測(cè)電路基板、芯片放置臺(tái)、光學(xué)探測(cè)器，襯底放置臺(tái)、檢測(cè)電路基板、芯片放置臺(tái)依次排列于所述轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置的同一側(cè)，轉(zhuǎn)移頭固定安裝于轉(zhuǎn)移驅(qū)動(dòng)裝置上，光學(xué)探測(cè)器位于檢測(cè)電路基板的正下方。該方法包括以下步驟：S1放置芯片陣列；S2負(fù)壓吸附芯片；S3芯片檢測(cè)就位；S4光電性能檢測(cè)；S5芯片轉(zhuǎn)移釋放；S6循環(huán)拾取及檢測(cè)。本發(fā)明可實(shí)現(xiàn)微型面發(fā)射光電芯片組在巨量轉(zhuǎn)移過(guò)程中同時(shí)實(shí)現(xiàn)光電性能的巨量同步檢測(cè)，檢測(cè)效率高，適用于微型面發(fā)射光電芯片，如微型LED芯片或小型LED芯片的光電性能巨量檢測(cè)。