本發(fā)明公開了一種檢驗(yàn)閃存單元電性能的方法,包括下列步驟:對閃存單元做規(guī)定時間的存儲電子編程,通過測量閾值電壓,將達(dá)到規(guī)定參考值的閃存單元篩選出來作為第一批初步符合要求的閃存單元,隨后對篩選出的閃存單元進(jìn)行一定時間的再次存儲電子編程,再對這些閃存單元進(jìn)行烘培,最后再對經(jīng)過烘培的這些閃存單元再次測量閾值電壓,判斷是否仍能夠維持在參考值,以此來確定閃存單元最終是否符合電性能要求。通過上述檢驗(yàn)方法,能夠使得那些電性能處于臨界狀態(tài)的閃存單元由于再次存儲電子編程而獲得閾值電壓余量,彌補(bǔ)烘培造成的閾值電壓下降,從而使閾值電壓維持在參考值通過電性能檢測,因而提高產(chǎn)品良率。
聲明:
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