本發(fā)明涉及用于分析物測量的非常大規(guī)模FET陣列的方法和裝置??苫诟倪M的FET像素和陣列設(shè)計,利用常規(guī)CMOS制造技術(shù)來制造化學FET(例如ISFET)陣列,該設(shè)計在提高測量的靈敏度和準確度的同時有利于明顯小的像素尺寸和密集陣列。改進的陣列控制技術(shù)提供從大型密集陣列的快速數(shù)據(jù)采集。這種陣列可用于在廣泛的化學和/或生物過程中檢測不同類型的分析物的存在和/或濃度的改變。在一個實例中,化學FET有利于基于監(jiān)測氫離子濃度(PH)變化、其他分析物濃度的變化和/或與涉及DNA合成的化學過程有關(guān)的結(jié)合事件的DNA序列測定技術(shù)。
聲明:
“利用大規(guī)模FET陣列測量分析物的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)