與用于分析物測(cè)量的非常大規(guī)模FET陣列有關(guān)的方法和裝置?;诟倪M(jìn)的FET像素和陣列設(shè)計(jì),使用常規(guī)CMOS加工技術(shù),可以制造chemFET(例如,ISFET)陣列,其會(huì)增加測(cè)量靈敏度和準(zhǔn)確度,并同時(shí)促進(jìn)明顯小的像素尺寸和密集的陣列。改進(jìn)的陣列控制技術(shù)會(huì)提供從大和密集陣列快速獲取數(shù)據(jù)。這樣的陣列可以用于檢測(cè)在多種化學(xué)和/或生物過(guò)程中的不同分析物類型的存在和/或濃度變化。在一個(gè)實(shí)例中,chemFET陣列會(huì)促進(jìn)DNA測(cè)序技術(shù),這基于監(jiān)測(cè)無(wú)機(jī)焦磷酸(PPi)、氫離子和三磷酸核苷酸的濃度的變化。
聲明:
“使用大規(guī)模FET陣列測(cè)量分析物的方法和裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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