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基于一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列的可見光電化學(xué)探測器

831   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:47:31
本發(fā)明公布了一種基于一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列的可見光電化學(xué)探測器,屬于納米材料性能和應(yīng)用領(lǐng)域。特征在于利用光吸收性能優(yōu)異的一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列的光電化學(xué)響應(yīng)特性實現(xiàn)可見光的探測。器件制備過程及所需設(shè)備相對簡單,可控性良好,光響應(yīng)度較高。器件構(gòu)建過程主要包括:(1)利用金屬催化各向異性化學(xué)腐蝕法制備一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列;(2)利用磁控濺射或真空蒸鍍技術(shù)在一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列背面沉積導(dǎo)電層,并進行退火處理形成一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列光電極;(3)以一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列光電極為基礎(chǔ),構(gòu)建可見光電化學(xué)探測器。本發(fā)明利用一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列的高光電化學(xué)響應(yīng)特性構(gòu)建了可見光電化學(xué)探測器,拓展了半導(dǎo)體納米材料的應(yīng)用領(lǐng)域。
聲明:
“基于一維硅納米結(jié)構(gòu)陣列的可見光電化學(xué)探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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