本發(fā)明公開了一種40Gb/s波導(dǎo)型PIN光探測器 管芯臺面的化學(xué)腐蝕方法。它涉及一種光通信用40Gb/s光探 測器關(guān)鍵部分——雙聯(lián)體管芯臺面的制作。該光探測器的管芯 臺面,是由InP/InGaAs/InGaAsP(或InGaAs/InAlAs/InP)多層異 質(zhì)材料構(gòu)成的、寬×長為(6-8)×(24-26)微米、高為(2.7-3.1) 微米的斜臺面結(jié)構(gòu)。該臺面結(jié)構(gòu),由采用特定配比的HBr- K2Cr2O7- H2O混合腐蝕液,通過兩次(或 多次)化學(xué)腐蝕而成,并經(jīng)臺階儀精確測試,達(dá)到規(guī)定要求。該 特定配比的混合腐蝕液,具有配置簡單、對大多數(shù)III-V半導(dǎo) 體化合物材料均能適用、腐蝕速率快、使用方便等諸多特點(diǎn)。
聲明:
“40Gb/s波導(dǎo)型PIN光探測器管芯臺面的化學(xué)腐蝕方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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