一種監(jiān)控測量半導(dǎo)體薄膜結(jié)構(gòu)的厚度變化方法,通過半導(dǎo)體上的測試區(qū)測量監(jiān)控在化學(xué)機(jī)械研磨過程中半導(dǎo)體上元件區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的厚度變化,該方法是蝕刻測試區(qū)的薄膜結(jié)構(gòu),使蝕刻后測試區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的圖案密度實(shí)質(zhì)近似于元件區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的圖案密度,以利于化學(xué)機(jī)械研磨工藝中實(shí)質(zhì)仿真該元件區(qū)薄膜結(jié)構(gòu)的厚度變化。
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“化學(xué)機(jī)械研磨的監(jiān)控測量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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