本發(fā)明公開了一種基于注意力機(jī)制強(qiáng)化學(xué)習(xí)的半導(dǎo)體晶片測(cè)試路徑規(guī)劃方法,用于解決現(xiàn)有半導(dǎo)體晶片測(cè)試路徑規(guī)劃方法通用性差的技術(shù)問題。技術(shù)方案是采用軟性注意力機(jī)制(Soft Attention Mechanism)的深度強(qiáng)化學(xué)習(xí)模型架構(gòu)來訓(xùn)練代理人。特別采用長短期記憶架構(gòu),使?fàn)顟B(tài)具有記憶能力,并運(yùn)用課程學(xué)習(xí)方式逐步擴(kuò)大晶圓尺寸,利用遷移學(xué)習(xí)訓(xùn)練不同探針卡樣式。本發(fā)明有效地克服了晶片擴(kuò)大時(shí)模型難以訓(xùn)練的問題,適用于多種晶片尺寸下的應(yīng)用。通過訓(xùn)練代理人的方式,代理人能以最少移動(dòng)步數(shù)將晶片上所有晶粒測(cè)試完畢,有效減少了探針移動(dòng)次數(shù)與移動(dòng)距離,通用性好。
聲明:
“基于注意力機(jī)制強(qiáng)化學(xué)習(xí)的半導(dǎo)體晶片測(cè)試路徑規(guī)劃方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)