本發(fā)明公開了一種具有集成噪聲屏蔽物的裝置。裝置包括基本上包圍半導體裝置的多個垂直屏蔽結(jié)構(gòu)。裝置進一步包括位于半導體裝置上方基本上充滿導電流體的開口,其中,多個垂直屏蔽結(jié)構(gòu)和導電流體屏蔽半導體裝置免受環(huán)境輻射的影響。在一些實施例中,裝置進一步包含位于半導體裝置下方的導電底部屏蔽物,其屏蔽半導體裝置免受環(huán)境輻射的影響。在一些實施例中,開口被配置為允許將生物樣本引入至半導體裝置中。在一些實施例中,垂直屏蔽結(jié)構(gòu)包括多個通孔,其中,多個通孔中的每個把多于一個的導電層連接在一起。在一些實施例中,裝置包括納米孔裝置,并且其中,納米孔裝置包括納米孔陣列的單一單元。
聲明:
“用于生物化學應(yīng)用中極低電流測量的噪聲屏蔽技術(shù)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)