本發(fā)明涉及一種X射線熒光光譜分析低硅硅鐵中主要元素含量的方法,包括如下步驟:1)用壓片法將各個有化學法定值的標準樣品分別制成可供X射線熒光光譜儀分析的標準樣片,并用化學法值作為標準值建立標準曲線;2)用X射線熒光光譜儀對上述標準樣片分別進行掃描,建立基礎分析條件;3)對標準樣片按照基礎分析條件用X射線熒光光譜儀分別進行測量,進行添加修正,擬合后,重新生成標準曲線;4)用壓片法將待測樣品制成可供X射線熒光光譜儀分析的待測樣片;5)再用X射線熒光光譜儀對待測樣片進行X射線熒光光譜分析。本發(fā)明采用超高壓壓片法用于樣品制樣,制樣時間短,不用加粘結劑,一次成型,可顯著提高分析效率,分析結果準確度高。
聲明:
“X射線熒光光譜分析低硅硅鐵中主要元素含量的方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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