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化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)頭、設(shè)備和方法以及由此制造的平面化半導(dǎo)體晶片

815   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:55:30
化學(xué)機(jī)械拋光/平面化(CMP)設(shè)備、方法和由此生產(chǎn)出的襯底。拋光表面中具有不均勻的凹槽。CMP頭和方法具有整體漿液分配機(jī)構(gòu)。CMP設(shè)備和方法具有旋轉(zhuǎn)的固定環(huán)。CMP設(shè)備和方法具有帶柔軟背襯的拋光頭。CMP能夠在拋光和平面化過程中有效使用漿液。由CMP設(shè)備或方法生產(chǎn)的襯底(半導(dǎo)體晶片)。在一個實(shí)施例中,該設(shè)備(100)包括具有附著在下襯底保持表面(165)上的柔性部件(185)的副載體(160)。柔性部件(185)中具有孔(195),從而在柔性部件和副載體(160)之間引入的加壓流體直接將襯底(105)壓在拋光表面(125)上。這些孔(195)的數(shù)目和尺寸被選擇為能夠在柔性部件(185)和襯底(105)之間提供充分的摩擦,以在驅(qū)動機(jī)構(gòu)使副載體(160)轉(zhuǎn)動時產(chǎn)生轉(zhuǎn)動。副載體(160)具有用來在位于下表面(165)和柔性部件(185)之間的凹穴(215)上抽真空的開口。柔性部件和襯底(105)用作閥(225),以在已經(jīng)實(shí)現(xiàn)預(yù)定真空時使開口與空腔隔離。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)頭、設(shè)備和方法以及由此制造的平面化半導(dǎo)體晶片” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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