一種調(diào)節(jié)平整表面的方法,設(shè)備和介質(zhì)包括:將待拋光的晶片放在具有拋光墊(102)和調(diào)節(jié)盤(108)的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)設(shè)備(100)中,在第一套墊調(diào)節(jié)參數(shù)下拋光該晶片,選擇該套參數(shù)是為將晶片材料去除速率保持在預(yù)選的最小和最大去除速率范圍內(nèi);確定出現(xiàn)在該拋光步驟期間的晶片材料去除速率;計算校正的墊調(diào)節(jié)參數(shù)以將晶片材料去除速率保持在最大和最小去除速率范圍內(nèi);以及用該校正的墊調(diào)節(jié)參數(shù)調(diào)節(jié)該拋光墊,其中該校正的墊調(diào)節(jié)參數(shù)用墊磨損和調(diào)節(jié)模型計算,該模型基于該調(diào)節(jié)盤的旋轉(zhuǎn)速度和方向預(yù)測該拋光墊的該晶片材料去除速率。