本發(fā)明的實(shí)施方式涉及一種或多種氣體的組成分析,例如來自等離子蝕刻或等離子增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)之類的半導(dǎo)體制備工藝取樣得到的氣體混合物的組成分析。特定實(shí)施方式向該樣本的等離子體提供充足功率,以將大量分子與分子碎片解離成獨(dú)立的原子。由此將充足功率(通常為3至40W/cm3的功率密度)遞送入該等離子體,大部分發(fā)射峰由獨(dú)立原子的發(fā)射得到,從而建立有助于簡(jiǎn)化所研究氣體的化學(xué)成分的識(shí)別的光譜。氣體的構(gòu)成要素的此類精確識(shí)別可允許精確決定正在實(shí)施的工藝的階段,且尤其允許檢測(cè)工藝終點(diǎn)。
聲明:
“用于鑒別氣體的化學(xué)組成的方法及設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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