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納米二氧化硅熔鹽中電沉積硅膜基體電化學(xué)評估方法

872   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:56:02
一種納米二氧化硅熔鹽中電沉積硅膜基體電化學(xué)評估方法,按以下步驟進(jìn)行:(1)將氯化鈣置于反應(yīng)器中;插入石墨電極;(2)將氯化鈣加熱形成熔鹽,通過電極進(jìn)行預(yù)電解,兩電極的電壓1.0±0.1V;(3)制作工作電極;(4)制成復(fù)合電極;(5)制成三電極體系;(6)將固態(tài)熔鹽覆蓋多晶硅片,加熱熔化形成熔鹽;(7)測量嵌入電位,通過塔菲爾曲線獲得自腐蝕電位VCorr(X-Si);(8)向熔鹽中加入納米二氧化硅形成混合熔鹽;(9)通過兩個石墨電極對混合熔鹽進(jìn)行二次預(yù)電解;(10)通過三電極體系測量還原電位VR(SiO2);(11)計算σ和δ。采用本發(fā)明的方法可通過簡單的試驗(yàn),分析何種材料可直接作為納米二氧化硅在氯化鈣熔鹽中電化學(xué)還原電沉積硅膜的陰極基體。
聲明:
“納米二氧化硅熔鹽中電沉積硅膜基體電化學(xué)評估方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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