一種用于提供CMP系統(tǒng)中的制程控制的系統(tǒng)和方法,其使用用于修整晶片研磨墊的真空輔助設(shè)備,從而來(lái)自修整制程的流出物(即晶片碎屑、研磨漿、化學(xué)或其它副產(chǎn)物)從廢流中轉(zhuǎn)移開(kāi),而引入分析模塊,進(jìn)行進(jìn)一步的處理。所述分析模塊用于確定所述流出物內(nèi)的至少一個(gè)參數(shù),且基于分析來(lái)產(chǎn)生制程控制信號(hào)。所述制程控制信號(hào)然后反饋到平面化制程,以允許多種參數(shù)例如研磨漿的成分、溫度、流速等的控制。所述控制信號(hào)還可用于控制制程和/或確定所述平面化制程自身的終點(diǎn)。
聲明:
“使用原位修整制程的化學(xué)機(jī)械平面化制程控制” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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