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基于二氧化錫/二硫化錫/介孔氮化碳的光電化學(xué)免疫傳感器的制備方法及應(yīng)用

1031   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:57:23
本發(fā)明涉及基于二氧化錫/二硫化錫/介孔氮化碳的光電化學(xué)免疫傳感器的制備方法及應(yīng)用。本發(fā)明以二氧化錫/二硫化錫/介孔氮化碳為基底材料并用可見光照射來獲得光電流?;撞牧系娜N組分能帶匹配良好,使光電轉(zhuǎn)換效率大大提高。用作二抗標(biāo)記物的二氧化硅/硫化鉛對光電流猝滅作用顯著。待測氨基末端腦鈉肽前體的量不同,導(dǎo)致結(jié)合的二抗及二抗標(biāo)記物的量不同,進(jìn)而導(dǎo)致了對光電信號影響程度的不同。構(gòu)建的傳感器實現(xiàn)了對氨基末端腦鈉肽前體的檢測。其檢測限為50?fg/mL。
聲明:
“基于二氧化錫/二硫化錫/介孔氮化碳的光電化學(xué)免疫傳感器的制備方法及應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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