本發(fā)明提供了化學(xué)氣相沉積裝置的溫度控制方法。該方法可以準(zhǔn)確地了解晶座的表面溫度與基板的表面溫度之間的差異而無需使用復(fù)雜并且昂貴的設(shè)備。該方法包括以下步驟:檢測頂表面上裝載有基板的晶座的旋轉(zhuǎn)狀態(tài);測量所述晶座的頂表面的溫度;基于檢測到的旋轉(zhuǎn)狀態(tài)和測量出的溫度來計算所述晶座的頂表面的溫度分布;以及基于計算出的溫度分布來控制所述晶座的頂表面的溫度。
聲明:
“化學(xué)氣相沉積裝置的溫度控制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)