本發(fā)明涉及用于襯底的化學(xué)機(jī)械平整化(CMP)的拋光墊、該拋光墊的制造方法及其應(yīng)用。本發(fā)明描述的墊針對拋光規(guī)范被定制,其中規(guī)范包括(但不局限于)被拋光的材料、芯片設(shè)計和結(jié)構(gòu)、芯片密度和圖案密度、設(shè)備平臺以及使用的漿料類型。這些墊可設(shè)計成具有專門的具有長程有序或短程有序的聚合物納米結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)允許進(jìn)行分子水平調(diào)節(jié)以實現(xiàn)非常好的熱-機(jī)械特性。更具體地,墊可設(shè)計和制造成使得在墊內(nèi)存在化學(xué)和物理特性的均勻和非均勻的空間分布。另外,這些墊可設(shè)計成通過表面工程設(shè)計(通過添加固體潤滑劑)以及形成具有多個聚合物材料層——這形成平行于拋光面的界面——的低剪切力一體式墊來調(diào)節(jié)摩擦系數(shù)。該墊還具有受控的孔隙率、嵌入磨料、用于漿料傳輸?shù)膾伖饷嫔系男路f凹槽(該凹槽是原位生成的)以及用于終點檢測的透明區(qū)域。