2-CdS減弱型的腦利鈉肽抗原光電化學(xué)傳感器的制備方法,化學(xué)分析"> 2-CdS減弱型的腦利鈉肽抗原光電化學(xué)傳感器的制備方法,本發(fā)明涉及基于SiO2/PDA?Ag納米復(fù)合物減弱CeO2?CdS的腦利鈉肽抗原光電化學(xué)傳感器的制備方法。本發(fā)明以CeO2?CdS作為基底材料并用可見光照射來獲得光電流。CdS與CeO2能帶匹配良好,使光電轉(zhuǎn)換效率大大提高。SiO2/PDA?Ag納米復(fù)合物具有較大的空間位阻,其次Ag納米顆粒與基底CdS之間存在能量轉(zhuǎn)移,使光電響應(yīng)實現(xiàn)雙重減弱,增加了光電響應(yīng)的變化值,從而提高了該傳感器的靈敏度。根據(jù)不同濃度的待測物對光電信號強度的影響不同,實現(xiàn)了對腦利鈉肽">

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基于CeO2-CdS減弱型的腦利鈉肽抗原光電化學(xué)傳感器的制備方法

969   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 06:57:24
本發(fā)明涉及基于SiO2/PDA?Ag納米復(fù)合物減弱CeO2?CdS的腦利鈉肽抗原光電化學(xué)傳感器的制備方法。本發(fā)明以CeO2?CdS作為基底材料并用可見光照射來獲得光電流。CdS與CeO2能帶匹配良好,使光電轉(zhuǎn)換效率大大提高。SiO2/PDA?Ag納米復(fù)合物具有較大的空間位阻,其次Ag納米顆粒與基底CdS之間存在能量轉(zhuǎn)移,使光電響應(yīng)實現(xiàn)雙重減弱,增加了光電響應(yīng)的變化值,從而提高了該傳感器的靈敏度。根據(jù)不同濃度的待測物對光電信號強度的影響不同,實現(xiàn)了對腦利鈉肽抗原的檢測。其檢測限為0.05?pg/mL。
聲明:
“基于CeO2-CdS減弱型的腦利鈉肽抗原光電化學(xué)傳感器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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