本發(fā)明涉及一種基于IRMOF?3內(nèi)外負(fù)載氮摻雜量子點(diǎn)復(fù)合材料的電化學(xué)免疫傳感器的制備方法。本發(fā)明使用的氮摻雜量子點(diǎn)與石墨烯量子點(diǎn)相比具有更高的量子產(chǎn)率和更多的活性位點(diǎn)，此外合成的IRMOF?3具有比表面積大、孔隙規(guī)則性好、孔徑可調(diào)等優(yōu)點(diǎn)，可以高量負(fù)載氮摻雜量子點(diǎn)。通過將氮摻雜量子點(diǎn)在IRMOF?3的內(nèi)外表面同時(shí)進(jìn)行負(fù)載，從而大大提高發(fā)光材料的負(fù)載量，提供持續(xù)穩(wěn)定的強(qiáng)電化學(xué)發(fā)光信號(hào)，并作為信號(hào)基底。使用金改性的氧化鋅納米棒結(jié)合降鈣素原識(shí)別抗體作為二抗標(biāo)記物，基于共振能量轉(zhuǎn)移原理，構(gòu)建了夾心猝滅型電化學(xué)免疫傳感器，實(shí)現(xiàn)了對(duì)降鈣素原的超靈敏檢測(cè)，檢測(cè)限為12.58 fg mL?1。