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分子印跡聚合物天麻素電化學傳感器的制備方法

981   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 06:59:00
本發(fā)明屬于納米材料電化學傳感的交叉技術領域,涉及一種基于分子印跡聚合物/還原氧化石墨烯?銀納米顆粒/泡沫鎳的天麻素電化學傳感器的制備方法;采用Hummers法制備氧化石墨烯,將氧化石墨烯和銀氨溶液共還原成還原氧化石墨烯和銀納米顆粒沉積在泡沫鎳表面;以吡咯為單體,天麻素為模板分子,在修飾的泡沫鎳電極表面通過電聚合生成聚吡咯;去除模版分子制得具有天麻素印跡的聚吡咯/還原氧化石墨烯?銀納米顆粒/泡沫鎳的體系;擬合天麻素在該體系的電解液中濃度與氧化電流峰強度之間的線性關系,構(gòu)建基于該體系的天麻素電化學傳感器;該傳感器工藝簡單,制備成本低,產(chǎn)品靈敏度高,可作為一種新穎的電化學傳感器用于天麻素的高效檢測。
聲明:
“分子印跡聚合物天麻素電化學傳感器的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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