本實用新型涉及一種CVD設(shè)備。所述CVD設(shè)備包括腔體、設(shè)置在所述腔體內(nèi)的頂板和襯底支撐座,所述頂板與所述襯底支撐座相對設(shè)置,所述襯底支撐座具有面向所述頂板的襯底支撐面,待處理襯底設(shè)置于所述襯底支撐面,所述頂板具有面向所述襯底支撐座的第一表面和背離所述襯底支撐座的第二表面;所述化學(xué)氣相沉積設(shè)備進一步包括至少一探測孔和至少一溫度探測器;所述探測孔從所述腔體的外側(cè)向所述腔體內(nèi)延伸,并從所述頂板第二表面一側(cè)延伸至所述頂板,但不穿透所述頂板;所述溫度探測器通過所述探測孔探測所述頂板的溫度,以獲得所述頂板第一表面的溫度。本實用新型的CVD設(shè)備能夠有效檢測所述頂板面向所述襯底支撐座的第一表面的溫度。
聲明:
“化學(xué)氣相沉積設(shè)備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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