本發(fā)明涉及一種碳化硅晶片化學(xué)機(jī)械拋光后表面保護(hù)方法,包括如下步驟:1)將多線切割后的晶片進(jìn)行機(jī)械加工處理,2)將氫氟酸溶液稀釋到一定濃度后備用,3)將所述步驟1)中加工處理后的晶片放置于稀釋后的氫氟酸溶液中,靜置一段時(shí)間,4)將所述步驟3)中靜置完成后的晶片取出用純水徹底沖洗,5)將沖洗后的晶片進(jìn)行干燥處理后將其轉(zhuǎn)移至檢測(cè)臺(tái)進(jìn)行檢測(cè)。本發(fā)明的氫氟酸溶液對(duì)拋光后的碳化硅晶片進(jìn)行清洗可以抑制氧化膜的形成,降低了下道工序的工作難度,提高了生產(chǎn)效率。
聲明:
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