本發(fā)明公開(kāi)了一種化學(xué)機(jī)械研磨工藝的優(yōu)化方法,該方法包括:A、提供一實(shí)驗(yàn)樣品,并按照當(dāng)前的化學(xué)機(jī)械研磨CMP工藝參數(shù)對(duì)實(shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行CMP工藝后,采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積PE-CVD工藝在實(shí)驗(yàn)樣品表面形成氮化硅SiN;B、采用離子束沉積工藝在SiN的表面形成金屬鎢,然后按照冠狀方向?qū)?shí)驗(yàn)樣品進(jìn)行切割,并獲取實(shí)驗(yàn)樣品的縱截面;C、采用透射電子顯微鏡TEM測(cè)量實(shí)驗(yàn)樣品的縱截面中實(shí)驗(yàn)樣品的參數(shù),如果實(shí)驗(yàn)樣品的參數(shù)不滿(mǎn)足工藝標(biāo)準(zhǔn),則調(diào)整當(dāng)前的CMP工藝參數(shù),并執(zhí)行步驟A;如果實(shí)驗(yàn)樣品的參數(shù)滿(mǎn)足工藝標(biāo)準(zhǔn),則結(jié)束流程。采用該方法能夠?qū)MP工藝進(jìn)行優(yōu)化。