本發(fā)明實(shí)施例涉及估計(jì)膜厚的化學(xué)機(jī)械平坦化裝置及方法。本發(fā)明實(shí)施例涉及一種用于在CMP中估計(jì)膜厚的方法,所述方法包含以下操作。將其上形成有膜的襯底安置于拋光墊上方,其中在所述膜與所述拋光墊之間施配漿料。執(zhí)行CMP操作以減小所述膜的厚度。在所述CMP操作期間通過
電化學(xué)阻抗頻譜EIS器件執(zhí)行原位EIS測量以實(shí)時估計(jì)所述膜的所述厚度。當(dāng)從第一等效電路模型的擬合參數(shù)獲得的所述膜的所述估計(jì)厚度達(dá)到目標(biāo)厚度時,結(jié)束所述CMP操作。
聲明:
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我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)