本申請涉及一種半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的氣密性檢測方法。所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的氣密性檢測方法包括如下步驟:形成測試
芯片,所述測試芯片包括襯底以及位于所述襯底上的測試膜層,所述測試膜層中具有測試圖案,所述測試膜層具有化學(xué)反應(yīng)活性;獲取所述測試圖案的第一特征尺寸;放置所述測試芯片至半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)內(nèi)部;于所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)內(nèi)部建立真空環(huán)境;獲取自所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)內(nèi)部取出后的所述測試圖案的第二特征尺寸;判斷所述第一特征尺寸是否大于所述第二特征尺寸,若是,則確認(rèn)所述半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的氣密性差。本申請縮短了半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)氣密性檢測的時(shí)間,降低了半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)氣密性檢測的成本,并提高了半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)氣密性檢測的準(zhǔn)確度。
聲明:
“半導(dǎo)體機(jī)臺(tái)的氣密性檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)