本發(fā)明涉及一種二維球腔電極、制備方法及其在痕量鉛離子檢測中的應(yīng)用。本發(fā)明采用
電化學(xué)沉積的方法在聚苯乙烯陣列間電沉積納米金,然后將聚苯乙烯模板去除,最后在金的表面電沉積二氧化硅,制備了有序的微電極陣列,利用微電極陣列分別對水體中的痕量鉛進(jìn)行檢測。結(jié)果表明,二氧化硅修飾的二維金球腔電極對水體中的痕量鉛具有很好的檢測極限和抗干擾能力,有望應(yīng)用于環(huán)境的痕量的鉛進(jìn)行實(shí)時(shí)現(xiàn)場檢測。
聲明:
“二維球腔電極、制備方法及其在痕量鉛離子檢測中的應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)