本發(fā)明提供一種FinFET鰭片摻雜濃度分布的測量樣品制備方法,包括:提供半導(dǎo)體襯底,在半導(dǎo)體襯底上形成多個鰭片,在鰭片的頂部形成有硬掩膜層;形成襯墊氧化物層,以覆蓋半導(dǎo)體襯底的表面、鰭片的側(cè)壁以及硬掩膜層的側(cè)壁和頂部;在鰭片之間形成隔離結(jié)構(gòu);沉積絕緣層,以完全填充鰭片之間的間隙;執(zhí)行化學(xué)機械研磨,直至絕緣層的頂部平坦化。本發(fā)明還提供一種FinFET鰭片摻雜濃度分布的測量方法,包括:將制備好的測量樣品分割為結(jié)構(gòu)完全相同的第一子樣品和第二子樣品;分別對第一子樣品和第二子樣品實施二次離子質(zhì)譜分析和透射電子顯微鏡橫截面分析;將得到的分析數(shù)據(jù)傳送至工藝計算機輔助設(shè)計工具模擬計算分析得到鰭片摻雜濃度分布。由此提高測量精確度。
聲明:
“FinFET鰭片摻雜濃度分布的測量方法和測量樣品制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)