一種用于移除電磁輻射探測電路的生長襯底的方法,所述電磁輻射特別是在紅外范圍或可見光范圍內(nèi)的電磁輻射,所述探測電路包括由通過液相外延或氣相外延或通過分子束外延而獲得的Hg(1-x)CdxTe制成的探測所述輻射的層,所述探測電路混接在讀取電路上。該方法包括:使生長襯底經(jīng)受機械拋光或化學(xué)-機械拋光步驟或化學(xué)蝕刻步驟以減小其厚度,直至探測電路的材料與生長襯底之間的界面區(qū)域;以及使由此獲得的界面經(jīng)受碘處理。
聲明:
“制造電磁輻射探測器的方法及通過該方法獲得的探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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