本發(fā)明屬于材料表面包覆技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種原子層沉積前驅(qū)體用量的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及其方法與應(yīng)用,包括:橢偏儀或X射線反射儀,用于質(zhì)控體和基體以監(jiān)控包覆層厚度;氣體流量計(jì),用于實(shí)時(shí)控制氣體流量;微分
電化學(xué)質(zhì)譜,用于監(jiān)控尾氣成分;所述橢偏儀與原子層沉積反應(yīng)腔相鄰設(shè)置;所述質(zhì)控體與所述基體設(shè)于所述原子層沉積反應(yīng)腔內(nèi),進(jìn)行包覆處理;所述氣體流量計(jì)設(shè)于所述原子層沉積反應(yīng)腔內(nèi)壁,所述微分電化學(xué)質(zhì)譜與所述原子層沉積反應(yīng)腔的尾氣系統(tǒng)相連。對(duì)反應(yīng)程度進(jìn)行實(shí)時(shí)檢測(cè)和反應(yīng)結(jié)束狀態(tài)進(jìn)行預(yù)判,保證了基體和前驅(qū)體充分接觸反應(yīng),實(shí)現(xiàn)對(duì)反應(yīng)進(jìn)程的準(zhǔn)確把控,對(duì)前驅(qū)體用量的精確控制,解決了ALD包覆生產(chǎn)中前驅(qū)體用量大和利用率低的問(wèn)題。
聲明:
“原子層沉積前驅(qū)體用量的監(jiān)測(cè)系統(tǒng)及其方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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