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半導體納米紫外光探測及氣體傳感集成器件的制作和應用

928   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 07:25:55
本發(fā)明涉及一種半導體納米紫外光探測及氣體傳感集成器件的制作和應用,采用化學氣相沉積方法,在p型Si/SiO2襯底表面中間段合成二維結(jié)構(gòu)ZnO半導體納米片,沿合成后的ZnO納米片兩端鍍制對稱Au/Ti金屬電極,采用PDMS、PMMA、PVC中任意一種聚合物涂覆金屬電極層,利用對紫外和可見光不透明的鋁箔遮擋除中間二維結(jié)構(gòu)ZnO半導體納米片以外的其他部分制成器件。實現(xiàn)對不同環(huán)境氣氛條件下紫外光信號的穩(wěn)定探測以及室溫條件下對有機物分子的檢測,解決半導體紫外光探測器在環(huán)境氣氛條件下性能不穩(wěn)定的難題。具有結(jié)構(gòu)簡單、響應快、靈敏度高、可在室溫下工作等優(yōu)點。
聲明:
“半導體納米紫外光探測及氣體傳感集成器件的制作和應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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