本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及硅襯底上硅外延層厚度的測(cè)量方法,制備晶片樣品的橫截面和利用染色技術(shù)對(duì)硅襯底染色來(lái)區(qū)分硅襯底本體和硅外延層;所述染色技術(shù)應(yīng)用的染色溶液由質(zhì)量濃度為69%的硝酸與質(zhì)量濃度為49%的氫氟酸按體積比為20:1配置而成和染色的時(shí)間為3?5秒。本發(fā)明提供的硅襯底上硅外延層厚度的測(cè)量方法,為了在晶片樣品的橫截面上把硅外延層和硅襯底本體明顯區(qū)分,使用本發(fā)明提供的化學(xué)染色技術(shù)對(duì)樣品進(jìn)行染色,達(dá)到了檢測(cè)硅外延層厚度的目的。
聲明:
“硅襯底上硅外延層厚度的測(cè)量方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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