本發(fā)明公開了一種探測光電材料微區(qū)光電性能的方法,涉及光
電化學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明以掃描電化學(xué)顯微鏡裝置為基礎(chǔ),通過采用光纖微探針和微電極探針,在光電化學(xué)池中通過精確掃描樣品微區(qū)(包括晶粒和晶界等),從而獲得材料微區(qū)光電化學(xué)性能。本發(fā)明的一種探測光電材料微區(qū)光電性能的方法可以測量出材料微區(qū)的不同表面微觀形貌對應(yīng)的光電性能差異,以及探測晶界及不同晶粒取向的光電性能分布,解決了傳統(tǒng)方法上只能測量材料整體宏觀光電性質(zhì)的局限,對光電轉(zhuǎn)化機制研究和工藝性能改進(jìn)具有重要的指導(dǎo)意義。
聲明:
“探測光電材料微區(qū)光電性能的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)