本發(fā)明涉及一種多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測(cè)器的制備方法,特別是一種X射線、Γ射線室溫核輻射探測(cè)器的制備方法,屬半導(dǎo)體探測(cè)器制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。該探測(cè)器的制備方法是:先將在襯底基片上制得的由柱狀晶粒組成的多晶薄膜進(jìn)行機(jī)械粗拋光、細(xì)拋光、表面化學(xué)腐蝕、清洗,晾干各工序,然后采用掩膜板蒸鍍電極,最后對(duì)探測(cè)器進(jìn)行封裝和安裝固定。本發(fā)明制得的探測(cè)器在室溫下具有優(yōu)秀的X射線、Γ射線能量分辨率。
聲明:
“多晶碘化汞薄膜室溫核輻射探測(cè)器的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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