本發(fā)明特別涉及苯乙胺銀銦溴的制備方法和半導體輻射探測器及制備方法,屬于射線成像探測器技術(shù)領(lǐng)域,苯乙胺銀銦溴由(C
6H
5CH
2CH
2NH
3)Br、AgBr、InBr
3和氫溴酸溶液制得,其中,(C
6H
5CH
2CH
2NH
3)Br、AgBr、InBr
3的摩爾比為2∶1∶1;苯乙胺銀銦溴的化學式為(C
6H
5CH
2CH
2NH
3)
4AgInBr
8,并將該苯乙胺銀銦溴作為吸光層的制備材料應(yīng)用于半導體輻射探測器,苯乙胺銀銦溴具有暗電流低,靈敏度高,穩(wěn)定性好等優(yōu)勢,使得本發(fā)明實施例提供的半導體輻射探測器具備高性能、無毒、穩(wěn)定等特點,解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的工藝復(fù)雜、靈敏度低、環(huán)境污染和穩(wěn)定性差等問題,同時也解決了靈敏度、工作偏壓、穩(wěn)定性和環(huán)境污染等指標不能兼顧問題。
聲明:
“苯乙胺銀銦溴的制備方法和半導體輻射探測器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)