本發(fā)明提供了提供使用比較過程(例如,匹配過程)比較元素和/或化學(xué)物質(zhì)的被測(cè)峰值形態(tài)(例如,先前所測(cè)量的在某一被監(jiān)測(cè)的特定程序下硅的峰值形態(tài))和采集的光譜數(shù)據(jù)(例如,使用非線性最小二乘擬合算法)用于膜層的表征。進(jìn)一步地,本發(fā)明使用采集的光譜數(shù)據(jù)提供膜層(例如,氮氧化硅膜厚度的測(cè)定)的表征。例如,已獲得的光譜可以是累積合成的并且該合成光譜的幾何特征可用于確定成分的濃度信息。薄膜的厚度測(cè)量可以基于上述的成分濃度信息被提供。
聲明:
“使用被測(cè)的主要成分光譜和/或基于獲得的光譜對(duì)薄膜的非破壞性表征” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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