本發(fā)明公開了一種擴(kuò)展波長近紅外探測器緩沖層的生長方法，其包括：在第一溫度下采用金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積工藝或分子束外延工藝在InP襯底上生長InxGa1?xAs低溫層、InAsyP1?y低溫層或InzAl1?zAs低溫層中的一種；將InP襯底的溫度升高到第二溫度，并對InxGa1?xAs低溫層、InAsyP1?y低溫層或InzAl1?zAs低溫層進(jìn)行退火處理；在第三溫度下生長InwGa1?wAs組分漸變層、InAswP1?w組分漸變層或InwAl1?wAs組分漸變層中的一種，其中，第二溫度高于第一溫度，第三溫度高于第二溫度。本發(fā)明能夠減小緩沖層厚度、降低位錯(cuò)密度，以獲得高速性能更加優(yōu)良的探測器件。