本發(fā)明公開了一種適用于高頻光電導(dǎo)衰減法測量半導(dǎo)體級單晶硅少子壽命的預(yù)處理方法,包括以下步驟:(1)將單晶硅棒加工成圓柱形;(2)將步驟(1)得到的單晶硅棒進(jìn)行化學(xué)拋光;(3)沖洗完成化學(xué)拋光的單晶硅棒,干燥。本發(fā)明提供的預(yù)處理方法可以有效消除因硅棒的邊界效應(yīng)和表面復(fù)合效應(yīng)引起的少子壽命的測量誤差,使測量結(jié)果更能真實(shí)反映單晶硅棒晶體結(jié)構(gòu)和深能級金屬含量的實(shí)際情況。
聲明:
“適用于高頻光電導(dǎo)衰減法測量半導(dǎo)體級單晶硅少子壽命的預(yù)處理方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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