本發(fā)明公開了一種GaN金屬-半導體-金屬紫外光電探測器的制備工藝。其技術(shù)方案是:利用金屬有機物化學汽相沉積(MOCVD)方法在藍寶石襯底上制備了GaN單晶薄膜,并對樣品進行X射線衍射和光致發(fā)光譜測量。利用GaN樣品成功地制備了MSM結(jié)構(gòu)GaN紫外光電探測器。本發(fā)明的特點是:GaN基材料還具有很高的熱導率和電子飽和速度,極高的擊穿電場,穩(wěn)定的物理和化學特性。MSM結(jié)構(gòu)因其平面型、制備工藝相對簡單、無需制作p2n結(jié)、避開摻雜和歐姆接觸等問題容易獲得高量子效率、高響應速度以及便于單片光電集成等諸多優(yōu)點而倍受青睞。
聲明:
“金屬紫外光電探測器的制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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