本發(fā)明屬于可見(jiàn)光探測(cè)器的技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)了一種Mg摻雜增強(qiáng)過(guò)渡金屬硫化物基可見(jiàn)光探測(cè)器及其制備方法。所述可見(jiàn)光探測(cè)器包括從下至上依次設(shè)置的Si襯底層、InGaN層、Mg摻雜的過(guò)渡金屬硫化物層和電極層。Mg摻雜的過(guò)渡金屬硫化物層部分覆蓋InGaN層。本發(fā)明還公開(kāi)了可見(jiàn)光探測(cè)器的制備方法。本發(fā)明在InGaN表面部分沉積Mg金屬層，利用化學(xué)氣相沉積制備Mg摻雜TMDs層，引入大量的受主能級(jí)，實(shí)現(xiàn)了TMDs的p型摻雜，調(diào)控了載流子濃度。調(diào)控后的載流子優(yōu)化了材料與電極間勢(shì)壘高度，降低了暗電流，增強(qiáng)了整流比，提升了器件的響應(yīng)速度，對(duì)于實(shí)現(xiàn)高性能、高靈敏的可見(jiàn)光通信用光電探測(cè)器具有重要意義。