本發(fā)明屬于光探測技術(shù)領(lǐng)域,具體涉及一種自驅(qū)動(dòng)光電探測器,該自驅(qū)動(dòng)光電探測器,由上至下依次包括金屬In點(diǎn)電極、金屬Pd前電極、硒氧鉍薄膜層和硅單晶基底。硒氧鉍薄膜層通過旋涂法、空氣退火處理、化學(xué)氣相沉積、濕法轉(zhuǎn)移等方法制備。測試結(jié)果表明,構(gòu)建異質(zhì)結(jié)極大地提高了硒氧鉍基器件的光響應(yīng)性能,且該器件表現(xiàn)出良好的自驅(qū)動(dòng)光探測性能。
聲明:
“基于Bi2O2Se薄膜/Si異質(zhì)結(jié)的自驅(qū)動(dòng)光電探測器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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