本發(fā)明公開了一種四葉草形天線的
石墨烯光電探測器及制備方法。器件制備步驟是將化學(xué)氣相沉積生長的石墨烯轉(zhuǎn)移到有SiO
2氧化層的Si襯底上,利用紫外光刻技術(shù)制作源、漏和頂柵電極,并利用氧刻、原子層沉積、濕法腐蝕等工藝,制備成具有四葉草形天線的石墨烯光電探測器。利用獨(dú)特的四葉草形天線結(jié)構(gòu),增強(qiáng)光的吸收并產(chǎn)生非對稱的耦合電場,從而顯著增強(qiáng)了探測器的源漏定向電流,大幅提高了器件的信噪比和探測能力。四葉草形結(jié)構(gòu)的石墨烯光電探測器在太赫茲及微波頻段段均顯示了超高的探測率。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)是探測率高,響應(yīng)快,功耗低和便于集成化。
聲明:
“四葉草形天線的石墨烯光電探測器及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)