本發(fā)明公開了一種基于二硒化鎢和IEICO?4F的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及光電探測器、及其制備,通過化學(xué)氣相沉積法在硅襯底上合成單層二硒化鎢薄膜,再通過旋涂工藝在二硒化鎢薄膜上制備出IEICO?4F層。該異質(zhì)結(jié)能帶呈II型(交錯(cuò))排列,有利于快速分離因入射光所生成的光生載流子而形成光電流,且隨著有機(jī)半導(dǎo)體層厚度增加,二硒化鎢的光致發(fā)光峰顯著淬滅,器件表現(xiàn)出更加優(yōu)異的光響應(yīng)特性。該異質(zhì)結(jié)及其光電探測器的制備方法簡單、成本低、兼容硅工藝。由該異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)組成的光電探測器具有高響應(yīng)率、高探測率、高穩(wěn)定性、寬光譜響應(yīng)等優(yōu)異特性,這為新一代基于二硒化鎢的光電探測器提供新的指導(dǎo)意義。
聲明:
“基于二硒化鎢和IEICO-4F的異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)及光電探測器、及其制備” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)