本發(fā)明公開了一種銦鎵砷焦平面探測器的列陣 微臺面的制備方法，該方法先用 Ar+離子干法刻蝕掉P型InP層， 再用濕法化學(xué)腐蝕掉InGaAs吸收層，這樣既可提高光敏面的 圖形保真度，又可減小InGaAs吸收層側(cè)面損傷。并通過硫化 處理，去掉表面氧化層，覆蓋新的ZnS/聚酰亞胺雙層鈍化膜。 ZnS層有效地起到抗反射和減小InP和InGaAs層表面態(tài)的作 用，可以增加探測器的量子效率和減小暗電流，較厚聚酰亞胺 層起到鈍化加固和抗輻射作用，提高器件的長時(shí)間穩(wěn)定性和可 靠性。該工藝適用于均勻性要求高的大線列或面陣臺面InGaAs 焦平面探測器的研制。