本發(fā)明公開了一種納米材料透射電鏡原位測(cè)試芯片、芯片制備方法及其應(yīng)用，屬于納米材料性能原位測(cè)試技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明的芯片包括硅基片、絕緣層和薄膜窗口，在硅基片兩面都長(zhǎng)有絕緣層；芯片正面絕緣層上長(zhǎng)有金屬薄膜或器件，或者半導(dǎo)體功能薄膜或器件，可對(duì)樣品施加各類物理、化學(xué)作用；芯片中央有薄膜窗口，在薄膜窗口區(qū)域開有大長(zhǎng)寬比透電子束長(zhǎng)孔或透電子束長(zhǎng)槽，本發(fā)明能夠在原子尺度分辨率下對(duì)透射電鏡樣品進(jìn)行原位測(cè)量，除了可原位表征納米線、納米管樣品外，也可實(shí)現(xiàn)塊體樣品、異質(zhì)結(jié)界面樣品的原位表征，同時(shí)能夠?qū)崿F(xiàn)在聚焦離子束系統(tǒng)內(nèi)和實(shí)驗(yàn)室中用微操作手放置樣品，也可以對(duì)已轉(zhuǎn)移固定在芯片上的樣品使用離子減薄設(shè)備進(jìn)行繼續(xù)加工。