本公開(kāi)提供了一種日盲光電探測(cè)器的制備方法,包括:S1,以氬氣為載氣,三乙基鎵和氧氣為反應(yīng)前驅(qū)物,在襯底上生長(zhǎng)氧化鎵,以得到第一相混合第二相的初級(jí)氧化鎵晶片;S2,在所述初級(jí)氧化鎵晶片上旋涂紫外光刻膠,并在所述旋涂紫外光刻膠初級(jí)氧化鎵晶片上刻蝕出電極區(qū)域;S3,在所述電極區(qū)域生長(zhǎng)金屬電極;S4,去除所述紫外光刻膠。另一方本公開(kāi)提供了一種日盲光電探測(cè)器。本申請(qǐng)中的日盲光電探測(cè)器采用混合相氧化鎵為主要組成部分,該混合相氧化鎵具有低暗流,高響應(yīng)度等優(yōu)點(diǎn)。另,使用金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積法制備氧化鎵外延層,這種方法具有可大規(guī)模生產(chǎn)、對(duì)產(chǎn)物質(zhì)量的調(diào)控能力強(qiáng)等優(yōu)點(diǎn)。
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“日盲光電探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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