本發(fā)明提供一種ZnMgO紫外探測(cè)器及其制備方法,其中的方法包括:S1、以有機(jī)鋅化合物作為鋅源,以有機(jī)鎂化合物作為鎂源,以高純氧氣為氧源,利用金屬有機(jī)化合物化學(xué)氣相沉積法在襯底的表面生長(zhǎng)ZnMgO薄膜;S2、在ZnMgO薄膜上使用負(fù)膠光刻形成叉指電極掩膜,在叉指電極掩膜濺射金屬后將叉指電極掩膜去除,形成叉指電極;S3、在叉指電極上按壓In粒,得到MSM結(jié)構(gòu)的ZnMgO紫外探測(cè)器。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明通過(guò)增加氧氣流量、增加氧分壓、減少氧缺陷的方式,使得制備的ZnMgO薄膜具有結(jié)晶質(zhì)量高、不出現(xiàn)分相、吸收截止邊陡峭等特點(diǎn),混相結(jié)構(gòu)的ZnMgO薄膜2能夠同時(shí)滿足高響應(yīng)度和低暗電流,從而使ZnMgO紫外光電探測(cè)器具有更低的暗電流和更高的光響應(yīng)速度。
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“ZnMgO紫外探測(cè)器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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