本發(fā)明公開了一種二維排列雙面錯嵌式三維探測器及其制備方法、陣列，包括上溝槽電極和下溝槽電極，上溝槽電極和下溝槽電極分別刻蝕在中間半導(dǎo)體基體表面；上溝槽電極內(nèi)嵌有上中央電極，上中央電極和上溝槽電極間填充有上半導(dǎo)體基體；下溝槽電極內(nèi)嵌有下中央電極，下溝槽電極和下中央電極間填充有下半導(dǎo)體基體；上溝槽電極和下溝槽電極的外寬均為2R_X，下溝槽電極位于上溝槽電極下方，兩者垂直相距d3，且兩者水平方向四分之一部位重疊，上中央電極和下中央電極規(guī)格相同。通過吸雜氧化在芯片表面生成二氧化硅層，然后經(jīng)標(biāo)記與光刻將探測器圖形轉(zhuǎn)移到二氧化硅層上，再進(jìn)行陰極電極和陽極電極的刻蝕和化學(xué)沉積擴(kuò)散，最后進(jìn)行損傷修復(fù)及封裝。