本申請(qǐng)公開了一種工藝顆粒監(jiān)測(cè)處理的方法及半導(dǎo)體工藝設(shè)備，屬于半導(dǎo)體工藝技術(shù)。該方法在半導(dǎo)體工藝腔室閑置時(shí)，對(duì)半導(dǎo)體工藝腔室進(jìn)行氣體吹掃，且實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)半導(dǎo)體工藝腔室中的異常氣體濃度，得到相應(yīng)的第一濃度值，異常氣體濃度與潛在工藝顆粒源的濃度正相關(guān)；若第一濃度值大于所述第一閾值，則在氣體吹掃的基礎(chǔ)上，將預(yù)設(shè)氣體通入半導(dǎo)體工藝腔室中，使得預(yù)設(shè)氣體與半導(dǎo)體工藝腔室中的潛在工藝顆粒源發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成相應(yīng)的反應(yīng)物顆粒，且反應(yīng)物顆粒在氣體吹掃下進(jìn)入與半導(dǎo)體工藝腔室連通的尾排處理器。本技術(shù)方案，可在半導(dǎo)體工藝處理過程中，有效清除半導(dǎo)體工藝腔室中的工藝顆粒，避免出現(xiàn)工藝顆粒超標(biāo)影響產(chǎn)品良率的問題。